Analyse und Optimierung von AlGaN/GaN-HEMTs in der leistungselektronischen Anwendung

Umfang: 199 Seiten
Format: 14,8 x 21,0 cm
Erscheinungsjahr: 2020
ISBN 978-3-7983-3141-9
15,00 

Die Leit- und Schaltverluste eines Leistungshalbleiters haben nach wie vor einen entscheidenden Einfluss auf die Effizienz und die erreichbare Leistungsdichte eines Umrichters. Aktuell zeigen sich AlGaN/GaN-HEMTs vor allem durch ihre hohen Schaltgeschwindigkeiten bei gleichzeitig ausgezeichneten Leiteigenschaften als aussichtsreiche Kandidaten für eine Reduktion dieser Verluste. In dieser Arbeit werden neuartige GaN-Transistoren charakterisiert und für leistungselektronische Anwendungen optimiert. Der Schwerpunkt liegt dabei auf der gegenseitigen Anpassung der Halbleitertechnologie und der Schaltungsumgebung.